近日，瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅(SiC)MOSFET产品，分别为650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，现已完成工规级可靠性认证(JEDEC)。

这两款产品采用TOLL(TO-leadless)封装，能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求，帮助高性能电源提高能效和功率密度，并改善电磁干扰(EMI)，简化PCB设计。

(资料图片仅供参考)

众所周知，SiC器件比Si器件具有明显的优势，包括：更低损耗、更高频率、更低的EMI、耐受更高工作温度和更可靠。

TOLL是一种表面贴装型封装，瞻芯电子的TOLL封装产品投影尺寸为10.10 mm x 11.88 mm，对比TO263-7(D2PAK 7)封装，PCB占用面积减少20%。而且，它的外形厚度仅为2.40 mm，比TO263-7(D2PAK 7)封装的体积小60%。

当性能更优的SiC MOSFET采用TOLL封装后，不仅显著减小体积、降低损耗，而且对比TO263-7(D2PAK 7)封装，背面金属片的尺寸更大，散热性能更好。除了尺寸更小，TOLL封装也是开尔文源极(Kelvin source)配置（4引脚型封装），能减小封装中源极线的电感，来抑制开关时产生的振荡，门极噪声更低，降低了开关损耗，有利于发挥MOSFET高速开关的性能优势。

IV1Q06040L1，IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET，主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷，能显著降低开关损耗，且适应-55~175°C工作温度范围。

封装特性：

适合于更高开关频率应用（实现高功率密度）

因具有较大尺寸的后面金属片，可降低器件温度

比TO-263-7L封装，厚度更低，占用PCB面积更小

比TO-263-7L封装，源电感更低

应用领域：

光伏/Solar

储能/ESS&UPS

数据中心电源/Datacenter Power

工业与医疗电源/Industrial&Medical Power

电机驱动/Motor Drives

通信电源/Telecom Power

标签：